Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - Taisngrieži - masīvi > MURTA600120R
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
324778MURTA600120R attēlsGeneSiC Semiconductor

MURTA600120R

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
18+
$84.823
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MURTA600120R
  • Ražotājs / zīmols
    GeneSiC Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    MURTA600120R.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    2.6V @ 300A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Three Tower
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    Three Tower
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    4 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Diode konfigurācija
    1 Pair Common Anode
  • Detalizēts apraksts
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 300A Chassis Mount Three Tower
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    25µA @ 1200V
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    300A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MURTA600120R” saistītie produkti.
MURTA40020R

MURTA40020R

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA50020

MURTA50020

Apraksts: DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA600120

MURTA600120

Apraksts: DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA40040R

MURTA40040R

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA50060R

MURTA50060R

Apraksts: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA40060

MURTA40060

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA500120R

MURTA500120R

Apraksts: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA500120

MURTA500120

Apraksts: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA60020R

MURTA60020R

Apraksts: DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA50060

MURTA50060

Apraksts: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA40060R

MURTA40060R

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA60060R

MURTA60060R

Apraksts: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA60060

MURTA60060

Apraksts: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA50040R

MURTA50040R

Apraksts: DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA50020R

MURTA50020R

Apraksts: DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA60040

MURTA60040

Apraksts: DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA60040R

MURTA60040R

Apraksts: DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA60020

MURTA60020

Apraksts: DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA50040

MURTA50040

Apraksts: DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MURTA40040

MURTA40040

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.