Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - Taisngrieži - masīvi > MSRT25060(A)
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
558937MSRT25060(A) attēlsGeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
25+
$56.388
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MSRT25060(A)
  • Ražotājs / zīmols
    GeneSiC Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    MSRT25060(A).pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.2V @ 250A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Three Tower
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    Three Tower
  • Citi vārdi
    MSRT25060(A)GN
    MSRT25060A
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Diode konfigurācija
    1 Pair Common Cathode
  • Detalizēts apraksts
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    15µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    250A (DC)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MSRT25060(A)” saistītie produkti.
MSRTA300140(A)D

MSRTA300140(A)D

Apraksts: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT20060(A)D

MSRT20060(A)D

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT20080(A)D

MSRT20080(A)D

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Apraksts: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA20060(A)D

MSRTA20060(A)D

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA200140(A)D

MSRTA200140(A)D

Apraksts: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA200160(A)D

MSRTA200160(A)D

Apraksts: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT20060(A)

MSRT20060(A)

Apraksts: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT200160(A)D

MSRT200160(A)D

Apraksts: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT25080(A)

MSRT25080(A)

Apraksts: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT250100(A)

MSRT250100(A)

Apraksts: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA20080(A)D

MSRTA20080(A)D

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA300120(A)D

MSRTA300120(A)D

Apraksts: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT200160(A)

MSRT200160(A)

Apraksts: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT250120(A)

MSRT250120(A)

Apraksts: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT20080(A)

MSRT20080(A)

Apraksts: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA300100(A)D

MSRTA300100(A)D

Apraksts: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRT250140(A)

MSRT250140(A)

Apraksts: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA200120(A)D

MSRTA200120(A)D

Apraksts: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MSRTA200100(A)D

MSRTA200100(A)D

Apraksts: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.