Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > GB50SLT12-247
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1504988GB50SLT12-247 attēlsGeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$107.46
10+
$100.748
25+
$96.046
100+
$90.673
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GB50SLT12-247
  • Ražotājs / zīmols
    GeneSiC Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GB50SLT12-247.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Silicon Carbide Schottky
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    50A
  • Spriegums - sadalījums
    TO-247AC
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tube
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    2940pF @ 1V, 1MHz
  • Polarizācija
    TO-247-2
  • Citi vārdi
    1242-1179
    GB50SLT12247
  • Darba temperatūra - savienojums
    0ns
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    18 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    GB50SLT12-247
  • Paplašināts apraksts
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC
  • Diode konfigurācija
    1mA @ 1200V
  • Apraksts
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.8V @ 50A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    1200V (1.2kV)
  • Ietilpība @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GB50SLT12-247” saistītie produkti.
SD103AWS-TP

SD103AWS-TP

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
S3K-E3/57T

S3K-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ES1D-TP

ES1D-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Co
Noliktavā
RFQ
SB550A-E3/54

SB550A-E3/54

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBR5E60P5-7D

SBR5E60P5-7D

Apraksts: DIODE SBR 60V 5A POWERDI5

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
VS-40HFR40M

VS-40HFR40M

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AU3PJHM3/86A

AU3PJHM3/86A

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
RS3K V7G

RS3K V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S3MB

S3MB

Apraksts: DIODE GP 1000V 3A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SK310BE3/TR13

SK310BE3/TR13

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
FFPF15S60STU

FFPF15S60STU

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
AS3PKHM3_A/I

AS3PKHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 2.1A TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N4006G

1N4006G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S15DLWHRVG

S15DLWHRVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SOD123W

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RS2MAHM2G

RS2MAHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYT51D-TR

BYT51D-TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SR206HA0G

SR206HA0G

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
ESH2PBHE3/85A

ESH2PBHE3/85A

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N3208R

VS-1N3208R

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.