Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > GAP3SLT33-220FP
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5788013GAP3SLT33-220FP attēlsGeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-220FP

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$17.67
10+
$16.065
25+
$14.86
100+
$13.655
250+
$12.45
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GAP3SLT33-220FP
  • Ražotājs / zīmols
    GeneSiC Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GAP3SLT33-220FP.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.7V @ 300mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    3300V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220FP
  • Ātrums
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    0ns
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-2 Full Pack
  • Citi vārdi
    1242-1183
    GAP3SLT33220FP
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    18 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Silicon Carbide Schottky
  • Detalizēts apraksts
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 3300V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    300mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    GAP3SLT33

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GAP3SLT33-220FP” saistītie produkti.
SFS1003GHMNG

SFS1003GHMNG

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
LL4002G L0

LL4002G L0

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A MELF

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GAP9

GAP9

Apraksts: FRONT SAFETY COVER CC9-150

Ražotāji: Carlo Gavazzi
Noliktavā
RFQ
MBR1690HC0G

MBR1690HC0G

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 90V 16A TO220AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GAP185

GAP185

Apraksts: FRONT SAFETY COVER CC185-800

Ražotāji: Carlo Gavazzi
Noliktavā
RFQ
FESF16HTHE3/45

FESF16HTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 16A ITO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS1M M2G

RS1M M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
CDBF00340-HF

CDBF00340-HF

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005

Ražotāji: Comchip Technology
Noliktavā
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
BAV101 L1G

BAV101 L1G

Apraksts: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S1PMHE3/85A

S1PMHE3/85A

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SURS8140T3G-VF01

SURS8140T3G-VF01

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
TSF20H120C-S C0G

TSF20H120C-S C0G

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 120V 10A ITO220AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
UH10FT-E3/4W

UH10FT-E3/4W

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20GHE3_A/I

BYG20GHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
CDSV-21-G

CDSV-21-G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

Ražotāji: Comchip Technology
Noliktavā
RFQ
JANTX1N5804URS

JANTX1N5804URS

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
ESH1PC-M3/84A

ESH1PC-M3/84A

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.