Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > FR12JR05
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
320128

FR12JR05

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
200+
$5.138
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FR12JR05
  • Ražotājs / zīmols
    GeneSiC Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.FR12JR05.pdf
    2.FR12JR05.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard, Reverse Polarity
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    12A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-4
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Citi vārdi
    FR12JR05GN
  • Darba temperatūra - savienojums
    500ns
  • Montāžas tips
    Chassis, Stud Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    FR12JR05
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diode konfigurācija
    25µA @ 100V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    800mV @ 12A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    600V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FR12JR05” saistītie produkti.
FR12GR02

FR12GR02

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12G02

FR12G02

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12M05

FR12M05

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12TB2458

FR12TB2458

Apraksts: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
FR12KR05

FR12KR05

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12DR02

FR12DR02

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12TB2412

FR12TB2412

Apraksts: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
FR12TB2458M

FR12TB2458M

Apraksts: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
FR12TB12M

FR12TB12M

Apraksts: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
FR12J02

FR12J02

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12MR05

FR12MR05

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12GR05

FR12GR05

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12TB12

FR12TB12

Apraksts: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
FR12TB2412M

FR12TB2412M

Apraksts: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
FR12DR05

FR12DR05

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12JR02

FR12JR02

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12K05

FR12K05

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12J05

FR12J05

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12G05

FR12G05

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FR12D05

FR12D05

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.