Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BAS16HT1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5723521BAS16HT1G attēlsFairchild/ON Semiconductor

BAS16HT1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.057
6000+
$0.05
15000+
$0.042
30000+
$0.04
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BAS16HT1G
  • Ražotājs / zīmols
    Fairchild (onsemi)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BAS16HT1G.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    200mA
  • Spriegums - sadalījums
    SOD-323
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Pretestība @ Ja F,
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Polarizācija
    SC-76, SOD-323
  • Citi vārdi
    BAS16HT1G-ND
    BAS16HT1GTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    6ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    BAS16HT1G
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 85V 200mA Surface Mount SOD-323
  • Diode konfigurācija
    1µA @ 75V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.25V @ 150mA
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    85V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BAS16HT1G” saistītie produkti.
BAS16GWJ

BAS16GWJ

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS16HTWQ-13R

BAS16HTWQ-13R

Apraksts: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAS16E6393HTSA1

BAS16E6393HTSA1

Apraksts: DIODE GP 80V 250MA SOT23-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BAS16J,115

BAS16J,115

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS16LP-7

BAS16LP-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA 2DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAS16HT3G

BAS16HT3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS16LT1G

BAS16LT1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS16L,315

BAS16L,315

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS16HT1

BAS16HT1

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS16E6433HTMA1

BAS16E6433HTMA1

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BAS16E6327HTSA1

BAS16E6327HTSA1

Apraksts: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BAS16HTW-13

BAS16HTW-13

Apraksts: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAS16HLP-7

BAS16HLP-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAS16LD,315

BAS16LD,315

Apraksts: DIODE GP 100V 215MA SOD882D

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS16J,135

BAS16J,135

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS16GWX

BAS16GWX

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS16H,115

BAS16H,115

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS16HMFHT116

BAS16HMFHT116

Apraksts: HIGH RELIABILITY AND SMALL MOLD

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS16HTWQ-13

BAS16HTWQ-13

Apraksts: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.