H11B2

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1040+

$0.199

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

H11B2
Ražotājs / zīmols

Everlight Electronics
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

H11B2.pdf
Spriegums - izlaide (maksimālais)

55V
Spriegums - Izolācija

5000Vrms
Spriegums - uz priekšu (Vf) (tips)

1.2V
Vce Piesātinājums (Max)

1V
Ieslēgt / izslēgt laiku (tipu)

25µs, 18µs
Piegādātāja ierīču komplekts

6-DIP
Sērija

-
Pieauguma / krituma laiks (veids)

-
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

6-DIP (0.300", 7.62mm)
Izvades veids

Darlington with Base
Citi vārdi

H11B2EL
Darbības temperatūra

-55°C ~ 100°C
Kanālu skaits

1
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

20 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades veids

DC
Detalizēts apraksts

Optoisolator Darlington with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP
Pašreizējā pārveduma koeficients (min)

200% @ 1mA
Pašreizējās pārvedumu attiecība (maksimālā)

-
Pašreizējais - izlaide / kanāls

-
Strāva - DC priekšu (ja) (maksimālais)

60mA

Šis ir ar “H11B2” saistītie produkti.

H11B23S

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B2-X009

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: Vishay / Semiconductor - Opto Division

Noliktavā

RFQ

H11B1S1(TB)

Apraksts: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: Everlight Electronics

Noliktavā

RFQ

H11B1W

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B1SM

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B2

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B1SM

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: Isocom Components

Noliktavā

RFQ

H11B2

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: Vishay / Semiconductor - Opto Division

Noliktavā

RFQ

H11B1SR2VM

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B2-X009T

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: Vishay / Semiconductor - Opto Division

Noliktavā

RFQ

H11B1SR2M

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B255

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B2300

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B2-V

Apraksts: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: Everlight Electronics

Noliktavā

RFQ

H11B255

Apraksts: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: Everlight Electronics

Noliktavā

RFQ

H11B1SD

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B23SD

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B1VM

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B2300W

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

H11B1S1(TB)-V

Apraksts: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: Everlight Electronics

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

H11B2

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

H11B23S

H11B2-X009

H11B1S1(TB)

H11B1W

H11B1SM

H11B2

H11B1SM

H11B2

H11B1SR2VM

H11B2-X009T

H11B1SR2M

H11B255

H11B2300

H11B2-V

H11B255

H11B1SD

H11B23SD

H11B1VM

H11B2300W

H11B1S1(TB)-V

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda