Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - moduļi > VS-GT80DA120U
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
63647

VS-GT80DA120U

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$38.63
10+
$35.623
25+
$34.022
100+
$30.42
250+
$29.019
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    VS-GT80DA120U
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    VS-GT80DA120U.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.55V @ 15V, 80A
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-227
  • Sērija
    HEXFRED®
  • Jauda - maks
    658W
  • Iepakojums / lieta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistors
    No
  • Montāžas tips
    Chassis Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    29 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Cies) @ Vce
    4.4nF @ 25V
  • Ievade
    Standard
  • IGBT tips
    Trench
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Module Trench Single 1200V 139A 658W Chassis Mount SOT-227
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    100µA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    139A
  • Konfigurācija
    Single

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “VS-GT80DA120U” saistītie produkti.
VS-HFA04SD60S-M3

VS-HFA04SD60S-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60STRHM3

VS-HFA04SD60STRHM3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT75LP120N

VS-GT75LP120N

Apraksts: IGBT 1200V 150A 543W

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT400TH60N

VS-GT400TH60N

Apraksts: IGBT 600V 530A 1600W DIAP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60SLHM3

VS-HFA04SD60SLHM3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT400TH120U

VS-GT400TH120U

Apraksts: IGBT 1200V 750A 2344W DIAP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60SPBF

VS-HFA04SD60SPBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60SR-M3

VS-HFA04SD60SR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT50TP60N

VS-GT50TP60N

Apraksts: IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT50TP120N

VS-GT50TP120N

Apraksts: IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60SHM3

VS-HFA04SD60SHM3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60STRLP

VS-HFA04SD60STRLP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT300YH120N

VS-GT300YH120N

Apraksts: IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60SRHM3

VS-HFA04SD60SRHM3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT300FD060N

VS-GT300FD060N

Apraksts: IGBT 600V 379A 1250W DIAP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT400TH120N

VS-GT400TH120N

Apraksts: IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT200TP065N

VS-GT200TP065N

Apraksts: IGBT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60STR-M3

VS-HFA04SD60STR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-HFA04SD60SL-M3

VS-HFA04SD60SL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 4A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-GT75NP120N

VS-GT75NP120N

Apraksts: IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.