Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > US1D-E3/5AT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6996334US1D-E3/5AT attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

US1D-E3/5AT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7500+
$0.098
15000+
$0.089
37500+
$0.083
52500+
$0.077
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    US1D-E3/5AT
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.US1D-E3/5AT.pdf
    2.US1D-E3/5AT.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    US1D-E3/5AT-ND
    US1D-E3/5ATGITR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    US1D

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “US1D-E3/5AT” saistītie produkti.
US1DHE3_A/H

US1DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BHE3_A/H

US1BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1D-13-F

US1D-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
US1D/1

US1D/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1D-M3/61T

US1D-M3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BHE3/61T

US1BHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1DHE3/61T

US1DHE3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1DHE3/5AT

US1DHE3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1D-TP

US1D-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
US1D M2G

US1D M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1D-M3/5AT

US1D-M3/5AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1DFA

US1DFA

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
US1BHR3G

US1BHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1BHE3_A/I

US1BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1D-E3/61T

US1D-E3/61T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1DHE3_A/I

US1DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
US1BHM2G

US1BHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1D R3G

US1D R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
US1D-13

US1D-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.