Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > UGB8JT-E3/81
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1404104UGB8JT-E3/81 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

UGB8JT-E3/81

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$0.895
1600+
$0.707
2400+
$0.66
5600+
$0.628
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    UGB8JT-E3/81
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    UGB8JT-E3/81.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.75V @ 8A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-263AB
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    UGB8JT-E3/81-ND
    UGB8JT-E3/81GITR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    53 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    30µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    8A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    UGB8J

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “UGB8JT-E3/81” saistītie produkti.
UGB8GTHE3/45

UGB8GTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8HT-E3/81

UGB8HT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8JTHE3/45

UGB8JTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8HCTHE3/45

UGB8HCTHE3/45

Apraksts: DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8JCTHE3/81

UGB8JCTHE3/81

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8JTHE3/81

UGB8JTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8HCT-E3/81

UGB8HCT-E3/81

Apraksts: DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8FTHE3/45

UGB8FTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8JT-E3/45

UGB8JT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8DTHE3/81

UGB8DTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8FTHE3/81

UGB8FTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8HTHE3/45

UGB8HTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8HTHE3/81

UGB8HTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8DTHE3/45

UGB8DTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8GT-E3/81

UGB8GT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8JCT-E3/81

UGB8JCT-E3/81

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8FT-E3/81

UGB8FT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8JCTHE3/45

UGB8JCTHE3/45

Apraksts: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8GTHE3/81

UGB8GTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UGB8HCTHE3/81

UGB8HCTHE3/81

Apraksts: DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.