Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQV120N06-4M7L_GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
904318

SQV120N06-4M7L_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
500+
$1.947
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQV120N06-4M7L_GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SQV120N06-4M7L_GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-262-3
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 30A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    250W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    8800pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    230nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQV120N06-4M7L_GE3” saistītie produkti.
BFL4001-1E

BFL4001-1E

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 4.1A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRLR7821PBF

IRLR7821PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
APT7F100B

APT7F100B

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
FDB2614

FDB2614

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRFS4115-7PPBF

IRFS4115-7PPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Apraksts: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SUP85N02-03-E3

SUP85N02-03-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IRF8736TRPBF

IRF8736TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFB7446GPBF

IRFB7446GPBF

Apraksts: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
TSM80N950CI C0G

TSM80N950CI C0G

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
STP100NF04

STP100NF04

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCMT199N60

FCMT199N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SPP18P06PHKSA1

SPP18P06PHKSA1

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRF7457TRPBF

IRF7457TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SQP90142E_GE3

SQP90142E_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Apraksts: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
NVD6495NLT4G-VF01

NVD6495NLT4G-VF01

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SQV120N10-3M8_GE3

SQV120N10-3M8_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.