Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SQS966ENW-T1_GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1192206

SQS966ENW-T1_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.11
10+
$0.974
100+
$0.751
500+
$0.556
1000+
$0.445
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQS966ENW-T1_GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHAN 60V
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SQS966ENW-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8W
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Jauda - maks
    27.8W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8W
  • Citi vārdi
    SQS966ENW-T1_GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    572pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.8nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQS966ENW-T1_GE3” saistītie produkti.
SQS460ENW-T1_GE3

SQS460ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS482EN-T1_GE3

SQS482EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 16A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQSA80ENW-T1_GE3

SQSA80ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS423EN-T1_GE3

SQS423EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS460EN-T1_GE3

SQS460EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS420EN-T1_GE3

SQS420EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS24B5001GSLF

SQS24B5001GSLF

Apraksts: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

Ražotāji: BI Technologies / TT Electronics
Noliktavā
RFQ
SQS840EN-T1_GE3

SQS840EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS850EN-T1_GE3

SQS850EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS482ENW-T1_GE3

SQS482ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS462EN-T1_GE3

SQS462EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS405EN-T1_GE3

SQS405EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS401ENW-T1_GE3

SQS401ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS481ENW-T1_GE3

SQS481ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQS24B5101GSLF

SQS24B5101GSLF

Apraksts: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

Ražotāji: BI Technologies / TT Electronics
Noliktavā
RFQ
SQS944ENW-T1_GE3

SQS944ENW-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 40V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.