Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQM120N02-1M3L_GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6014551SQM120N02-1M3L_GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SQM120N02-1M3L_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$1.635
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQM120N02-1M3L_GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 120A TO263
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SQM120N02-1M3L_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-263 (D²Pak)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 mOhm @ 40A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    375W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    14500pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    290nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQM120N02-1M3L_GE3” saistītie produkti.
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Apraksts: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM10SJB-8K2

SQM10SJB-8K2

Apraksts: RES WW 10W 5% TH

Ražotāji: Yageo
Noliktavā
RFQ
SQM120N10-3M8_GE3

SQM120N10-3M8_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM10SJB-91R

SQM10SJB-91R

Apraksts: RES WW 10W 5% TH

Ražotāji: Yageo
Noliktavā
RFQ
SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM110P04-04L-GE3

SQM110P04-04L-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM10SJB-8R2

SQM10SJB-8R2

Apraksts: RES WW 10W 5% TH

Ražotāji: Yageo
Noliktavā
RFQ
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM10SJB-910R

SQM10SJB-910R

Apraksts: RES WW 10W 5% TH

Ražotāji: Yageo
Noliktavā
RFQ
SQM10SJB-9R1

SQM10SJB-9R1

Apraksts: RES WW 10W 5% TH

Ražotāji: Yageo
Noliktavā
RFQ
SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM10SJB-9K1

SQM10SJB-9K1

Apraksts: RES WW 10W 5% TH

Ražotāji: Yageo
Noliktavā
RFQ
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM10SJB-91K

SQM10SJB-91K

Apraksts: RES WW 10W 5% TH

Ražotāji: Yageo
Noliktavā
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.