Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQJQ100EL-T1_GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5285854

SQJQ100EL-T1_GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ100EL-T1_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$3.30

10+

$2.985

100+

$2.399

500+

$1.866

1000+

$1.546

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SQJQ100EL-T1_GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SQJQ100EL-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 8 x 8
Sērija

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 20A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

150W (Tc)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

8-PowerTDFN
Citi vārdi

SQJQ100EL-T1_GE3CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

14500pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

220nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

40V
Detalizēts apraksts

N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SQJQ100EL-T1_GE3” saistītie produkti.

SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJA96EP-T1_GE3

SQJA96EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 40V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.