Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQJ401EP-T1_GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3193957

SQJ401EP-T1_GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ401EP-T1_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$2.18

10+

$1.97

100+

$1.583

500+

$1.231

1000+

$1.02

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SQJ401EP-T1_GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
Datu lapas

SQJ401EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® SO-8
Sērija

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 15A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

83W (Tc)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® SO-8
Citi vārdi

SQJ401EP-T1_GE3CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

10015pF @ 6V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

164nC @ 4.5V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

12V
Detalizēts apraksts

P-Channel 12V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SQJ401EP-T1_GE3” saistītie produkti.

SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ148EP-T1_GE3

SQJ148EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 23A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Apraksts: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.