Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQD50P08-28_GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6672780SQD50P08-28_GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD50P08-28_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2000+
$1.258
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQD50P08-28_GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SQD50P08-28_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252AA
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    136W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    6035pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    80V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 80V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    48A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQD50P08-28_GE3” saistītie produkti.
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 50A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD70140EL_GE3

SQD70140EL_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD97N06-6M3L_GE3

SQD97N06-6M3L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 50A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 80V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.