Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQD50N04-09H-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2508629SQD50N04-09H-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD50N04-09H-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQD50N04-09H-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SQD50N04-09H-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252, (D-Pak)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    83W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    SQD50N04-09H-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4240pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    40V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 40V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQD50N04-09H-GE3” saistītie produkti.
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 50A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 50A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 40A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.