Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQ2337ES-T1_GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1516834

SQ2337ES-T1_GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.257
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQ2337ES-T1_GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CHAN 80V SOT23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SQ2337ES-T1_GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    SQ2337ES-T1_GE3TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    620pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    80V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 80V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQ2337ES-T1_GE3” saistītie produkti.
SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 60V SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.3A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2319ES-T1-GE3

SQ2319ES-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 60V SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2355

SQ2355

Apraksts: BIT POWER SQUARE #2 3.5"

Ražotāji: Klein Tools
Noliktavā
RFQ
SQ2303PNF

SQ2303PNF

Apraksts: RF ANT 2.4GHZ PANEL N FEM CHASS

Ražotāji: Laird Technologies - Antennas
Noliktavā
RFQ
SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V SO23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2361EES-T1-GE3

SQ2361EES-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2361ES-T1_GE3

SQ2361ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2325ES-T1_GE3

SQ2325ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2303P72RTN

SQ2303P72RTN

Apraksts: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Ražotāji: Laird Technologies - Antennas
Noliktavā
RFQ
SQ2318AES-T1_GE3

SQ2318AES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 40V SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 20V SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 12V SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2360EES-T1-GE3

SQ2360EES-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQ2361AEES-T1_GE3

SQ2361AEES-T1_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.