Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIUD403ED-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6480381SIUD403ED-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIUD403ED-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.07
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIUD403ED-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIUD403ED-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 0806
  • Sērija
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.25W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 0806
  • Citi vārdi
    SIUD403ED-T1-GE3TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    31pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIUD403ED-T1-GE3” saistītie produkti.
BUK7516-55A,127

BUK7516-55A,127

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 65.7A TO220AB

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
FQD11P06TF

FQD11P06TF

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SPP11N80C3XKSA1

SPP11N80C3XKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
MCH3333A-TL-H

MCH3333A-TL-H

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RSH065N06TB1

RSH065N06TB1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SIUD402ED-T1-GE3

SIUD402ED-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AO4419

AO4419

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IXFC22N60P

IXFC22N60P

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTR48P20P

IXTR48P20P

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRF2805STRLPBF

IRF2805STRLPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NVMFS6B05NWFT3G

NVMFS6B05NWFT3G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSS87E6327

BSS87E6327

Apraksts: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIUD412ED-T1-GE3

SIUD412ED-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IXTP1N80

IXTP1N80

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
AON6442

AON6442

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
AOB2500L

AOB2500L

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 11.5A TO263

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Apraksts: POWER MOSFET TO-3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.