Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SISS42DN-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4559979

SISS42DN-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS42DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.776

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SISS42DN-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SISS42DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8S
Sērija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4 mOhm @ 15A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

4.8W (Ta), 57W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8S
Citi vārdi

SISS42DN-GE3
SISS42DN-T1-GE3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

32 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1850pF @ 50V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

38nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

7.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

100V
Detalizēts apraksts

N-Channel 100V 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

11.8A (Ta), 40.5A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SISS42DN-T1-GE3” saistītie produkti.

SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISNAP915EK

Apraksts: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 125V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISNAP915DK

Apraksts: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.