Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIS444DN-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4094477SIS444DN-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS444DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.383
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIS444DN-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SIS444DN-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    52W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3065pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    102nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIS444DN-T1-GE3” saistītie produkti.
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.