Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIS184DN-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6336737SIS184DN-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS184DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.76
10+
$1.562
100+
$1.234
500+
$0.957
1000+
$0.756
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIS184DN-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIS184DN-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8S
  • Sērija
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.8 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8S
  • Citi vārdi
    SIS184DN-T1-GE3CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1490pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    7.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    17.4A (Ta), 65.3A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIS184DN-T1-GE3” saistītie produkti.
SIS07VB

SIS07VB

Apraksts: DC DC CONVERTER 1.8V 12W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS03VY

SIS03VY

Apraksts: DC DC CONVERTER 1.2V 3W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS07VE

SIS07VE

Apraksts: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS07VA

SIS07VA

Apraksts: DC DC CONVERTER 1.5V 10W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS03VE

SIS03VE

Apraksts: DC DC CONVERTER 3.3V 9W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS03VD

SIS03VD

Apraksts: DC DC CONVERTER 2.5V 7W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS03VB

SIS03VB

Apraksts: DC DC CONVERTER 1.8V 5W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS07VD

SIS07VD

Apraksts: DC DC CONVERTER 2.5V 17W

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.