Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIR788DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3718110SIR788DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR788DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIR788DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIR788DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    SkyFET®, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SIR788DP-T1-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2873pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    Schottky Diode (Body)
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 60A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIR788DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.