Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIJA52DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5069431SIJA52DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIJA52DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.66
10+
$1.472
100+
$1.164
500+
$0.902
1000+
$0.712
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIJA52DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 15A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    48W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SIJA52DP-T1-GE3CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    7150pF @ 20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    150nC @ 20V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    40V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 40V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
CXDM6053N TR

CXDM6053N TR

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

Ražotāji: Central Semiconductor
Noliktavā
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
NX3008PBK,215

NX3008PBK,215

Apraksts: MOSFET P-CH 30V TO-236AB

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFP50N06

RFP50N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
IRF3704ZSTRLPBF

IRF3704ZSTRLPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
IRFPC40

IRFPC40

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu