Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHP23N60E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6711839SIHP23N60E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHP23N60E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$1.871
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHP23N60E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHP23N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    158 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    227W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2418pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHP23N60E-GE3” saistītie produkti.
SIHP22N60EL-GE3

SIHP22N60EL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP22N60E-GE3

SIHP22N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP24N65E-GE3

SIHP24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP25N40D-E3

SIHP25N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP25N40D-GE3

SIHP25N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP22N60E-E3

SIHP22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP18N60E-GE3

SIHP18N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP22N60AEL-GE3

SIHP22N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP22N60AE-GE3

SIHP22N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP24N65E-E3

SIHP24N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP22N65E-GE3

SIHP22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP24N65EF-GE3

SIHP24N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.