Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHG47N60E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
989902SIHG47N60E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG47N60E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$11.21
10+
$10.091
100+
$8.297
500+
$6.952
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHG47N60E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHG47N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247AC
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64 mOhm @ 24A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    357W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    9620pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    47A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHG47N60E-GE3” saistītie produkti.
SIHG70N60EF-GE3

SIHG70N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG460B-GE3

SIHG460B-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG35N60E-GE3

SIHG35N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG44N65EF-GE3

SIHG44N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG73N60AEL-GE3

SIHG73N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG61N65EF-GE3

SIHG61N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG64N65E-GE3

SIHG64N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG40N60E-GE3

SIHG40N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG47N60AEL-GE3

SIHG47N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG73N60AE-GE3

SIHG73N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG73N60E-E3

SIHG73N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG47N65E-GE3

SIHG47N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.