Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHG17N80E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2459125SIHG17N80E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG17N80E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$6.27
10+
$5.595
100+
$4.588
500+
$3.715
1000+
$3.133
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHG17N80E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SIHG17N80E-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247AC
  • Sērija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    208W (Tc)
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2408pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHG17N80E-GE3” saistītie produkti.
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG16N50C-E3

SIHG16N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHFS11N50A-GE3

SIHFS11N50A-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 11A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N50D-E3

SIHG22N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHFS9N60A-GE3

SIHFS9N60A-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG17N60D-GE3

SIHG17N60D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.