Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHA6N80E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3434868SIHA6N80E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHA6N80E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.88
10+
$2.605
100+
$2.093
500+
$1.628
1000+
$1.349
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHA6N80E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHA6N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220 Full Pack
  • Sērija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    31W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    827pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHA6N80E-GE3” saistītie produkti.
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA24N65EF-E3

SIHA24N65EF-E3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA25N50E-E3

SIHA25N50E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA25N60EFL-E3

SIHA25N60EFL-E3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA22N60EL-E3

SIHA22N60EL-E3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA22N60E-E3

SIHA22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHA240N60E-GE3

SIHA240N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.