Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI9926CDY-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6613326

SI9926CDY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$1.05

10+

$0.926

100+

$0.732

500+

$0.568

1000+

$0.448

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI9926CDY-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI9926CDY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Jauda - maks

3.1W
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI9926CDY-T1-GE3CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

27 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1200pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

33nC @ 10V
FET tips

2 N-Channel (Dual)
FET iezīme

Logic Level Gate
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

8A
Bāzes daļas numurs

SI9926

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI9926CDY-T1-GE3” saistītie produkti.

SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Apraksts: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

Apraksts: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

Apraksts: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

Apraksts: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

Apraksts: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

Apraksts: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

Apraksts: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI9936DY

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

SI9936DY,518

SI9936DY,518

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.