Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI8469DB-T2-E1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1357911SI8469DB-T2-E1 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8469DB-T2-E1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI8469DB-T2-E1
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI8469DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    780mW (Ta), 1.8W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    4-UFBGA
  • Citi vārdi
    SI8469DB-T2-E1CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    900pF @ 4V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    17nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    8V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI8469DB-T2-E1” saistītie produkti.
SI8481DB-T1-E1

SI8481DB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8463BB-B-IS1R

SI8463BB-B-IS1R

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8463BB-A-IS1R

SI8463BB-A-IS1R

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8489EDB-T2-E1

SI8489EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI84XXCOM-RD

SI84XXCOM-RD

Apraksts: KIT EVAL FOR SI84XXCOM

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8473EDB-T1-E1

SI8473EDB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8499DB-T2-E1

SI8499DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8463BA-B-IS1

SI8463BA-B-IS1

Apraksts: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8463BB-B-IS1

SI8463BB-B-IS1

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8463BA-A-IS1R

SI8463BA-A-IS1R

Apraksts: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8463BB-A-IS1

SI8463BB-A-IS1

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8475EDB-T1-E1

SI8475EDB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8472DB-T2-E1

SI8472DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8497DB-T2-E1

SI8497DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8465DB-T2-E1

SI8465DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8463BA-B-IS1R

SI8463BA-B-IS1R

Apraksts: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.