Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI8429DB-T1-E1

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2882485

SI8429DB-T1-E1 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8429DB-T1-E1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.483

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI8429DB-T1-E1
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI8429DB-T1-E1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

4-Microfoot
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

4-XFBGA, CSPBGA
Citi vārdi

SI8429DB-T1-E1TR
SI8429DBT1E1
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1640pF @ 4V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

26nC @ 5V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.2V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

8V
Detalizēts apraksts

P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

11.7A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI8429DB-T1-E1” saistītie produkti.

SI8423BB-D-ISR

SI8423BB-D-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430AB-D-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8423BB-D-IS

SI8423BB-D-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8424DB-T1-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI8430AB-D-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430BB-C-IS1

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430AB-C-IS1

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430AB-C-IS1R

SI8430AB-C-IS1R

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430-C-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8423BD-B-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8424CDB-T1-E1

SI8424CDB-T1-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI8430AB-D-IS1R

SI8430AB-D-IS1R

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8425DB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI8423BD-D-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430AB-D-IS1

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430-B-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8423BD-D-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8423BD-B-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8430-A-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI8423BB-B-ISR

SI8423BB-B-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.