Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI8416DB-T2-E1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6893585

SI8416DB-T2-E1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.30
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI8416DB-T2-E1
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI8416DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-Micro Foot™ (1.5x1)
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.77W (Ta), 13W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-UFBGA
  • Citi vārdi
    SI8416DB-T2-E1-ND
    SI8416DB-T2-E1TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1470pF @ 4V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.2V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    8V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 8V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI8416DB-T2-E1” saistītie produkti.
SI8420AB-D-IS

SI8420AB-D-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8410BD-A-ISR

SI8410BD-A-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8415DB-T1-E1

SI8415DB-T1-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8410BB-D-ISR

SI8410BB-D-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8420-C-IS

SI8420-C-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8410BD-A-IS

SI8410BD-A-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8420AD-D-ISR

SI8420AD-D-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8420-B-IS

SI8420-B-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8420AD-A-IS

SI8420AD-A-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8410BD-D-IS

SI8410BD-D-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8410BD-D-ISR

SI8410BD-D-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8416DB-T1-GE3

SI8416DB-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI8420AD-D-IS

SI8420AD-D-IS

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8420AB-D-ISR

SI8420AB-D-ISR

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8420AD-A-ISR

SI8420AD-A-ISR

Apraksts: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8420-A-IS

SI8420-A-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8410BB-D-IS

SI8410BB-D-IS

Apraksts: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1

Apraksts: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.