Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI7900AEDN-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4839999

SI7900AEDN-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7900AEDN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.602

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7900AEDN-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8 Dual
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Jauda - maks

1.5W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8 Dual
Citi vārdi

SI7900AEDN-T1-GE3TR
SI7900AEDNT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

-
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

16nC @ 4.5V
FET tips

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET iezīme

Logic Level Gate
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

6A
Bāzes daļas numurs

SI7900

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7900AEDN-T1-GE3” saistītie produkti.

SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7904DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7905DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7898DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7909DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7888DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.