Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7485DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4465679SI7485DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7485DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7485DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7485DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    900mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.3 mOhm @ 20A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.8W (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SI7485DP-T1-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    150nC @ 5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12.5A (Ta)

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7485DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7469DP-T1-GE3

SI7469DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7485DP-T1-E3

SI7485DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7478DP-T1-GE3

SI7478DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7489DP-T1-GE3

SI7489DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7491DP-T1-GE3

SI7491DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7469DP-T1-E3

SI7469DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7530DP-T1-E3

SI7530DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7491DP-T1-E3

SI7491DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7478DP-T1-E3

SI7478DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7483ADP-T1-GE3

SI7483ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7483ADP-T1-E3

SI7483ADP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7465DP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7476DP-T1-E3

SI7476DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7476DP-T1-GE3

SI7476DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7495DP-T1-GE3

SI7495DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7495DP-T1-E3

SI7495DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7501DN-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7501DN-T1-E3

SI7501DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7489DP-T1-E3

SI7489DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.