Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7308DN-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1898226

SI7308DN-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7308DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.547

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7308DN-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7308DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 5.4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8
Citi vārdi

SI7308DN-T1-GE3TR
SI7308DNT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

665pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

20nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7308DN-T1-GE3” saistītie produkti.

SI7302DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7302DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI72XX-EVAL-KIT

SI72XX-EVAL-KIT

Apraksts: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SI72XX-WD-KIT

Apraksts: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7322DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7308DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7309DN-T1-GE3

SI7309DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7309DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7328DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7326DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.