Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI5920DC-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6517025

SI5920DC-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI5920DC-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI5920DC-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    1206-8 ChipFET™
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
  • Jauda - maks
    3.12W
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SMD, Flat Lead
  • Citi vārdi
    SI5920DC-T1-GE3CT
    SI5920DCT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    680pF @ 4V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    8V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Bāzes daļas numurs
    SI5920

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI5920DC-T1-GE3” saistītie produkti.
SI5922DU-T1-GE3

SI5922DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5915BDC-T1-E3

SI5915BDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5935DC-T1-E3

SI5935DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5933CDC-T1-E3

SI5933CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5935CDC-T1-E3

SI5935CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5915BDC-T1-GE3

SI5915BDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5915DC-T1-GE3

SI5915DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5933DC-T1-E3

SI5933DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5933DC-T1-GE3

SI5933DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5913DC-T1-E3

SI5913DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5913DC-T1-GE3

SI5913DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5935DC-T1-GE3

SI5935DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5936DU-T1-GE3

SI5936DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.