Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI5519DU-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4392386SI5519DU-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5519DU-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI5519DU-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI5519DU-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® ChipFet Dual
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
  • Jauda - maks
    10.4W
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Citi vārdi
    SI5519DU-T1-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    660pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • FET tips
    N and P-Channel
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Bāzes daļas numurs
    SI5519

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI5519DU-T1-GE3” saistītie produkti.
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI570-PROG-EVB

SI570-PROG-EVB

Apraksts: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.