Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI5475BDC-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2577250SI5475BDC-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5475BDC-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI5475BDC-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI5475BDC-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    1206-8 ChipFET™
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SMD, Flat Lead
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1400pF @ 6V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    40nC @ 8V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 12V 6A (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI5475BDC-T1-GE3” saistītie produkti.
SI5473DC-T1-E3

SI5473DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5475BDC-T1-E3

SI5475BDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5481DU-T1-GE3

SI5481DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5473DC-T1-GE3

SI5473DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5475DC-T1-GE3

SI5475DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5468DC-T1-GE3

SI5468DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5481DU-T1-E3

SI5481DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5480DU-T1-E3

SI5480DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5480DU-T1-GE3

SI5480DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5476DU-T1-GE3

SI5476DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5479DU-T1-GE3

SI5479DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5461EDC-T1-E3

SI5461EDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5475DC-T1-E3

SI5475DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5461EDC-T1-GE3

SI5461EDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5476DU-T1-E3

SI5476DU-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5475DDC-T1-GE3

SI5475DDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI5463EDC-T1-GE3

SI5463EDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.