Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI5424DC-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2859594

SI5424DC-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5424DC-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.30

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI5424DC-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI5424DC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

1206-8 ChipFET™
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 4.8A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SMD, Flat Lead
Citi vārdi

SI5424DC-T1-GE3TR
SI5424DCT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

950pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

32nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI5424DC-T1-GE3” saistītie produkti.

SI5440DC-T1-GE3

SI5440DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5424DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5441DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5435BDC-T1-E3

SI5435BDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5429DU-T1-GE3

SI5429DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5415EDU-T1-GE3

SI5415EDU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5433BDC-T1-E3

SI5433BDC-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5432DC-T1-GE3

SI5432DC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5433BDC-T1-GE3

SI5433BDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5406DC-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI5435BDC-T1-GE3

SI5435BDC-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.