Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4966DY-T1-E3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4814441

SI4966DY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.893
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4966DY-T1-E3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4966DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Jauda - maks
    2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4966DY-T1-E3-ND
    SI4966DY-T1-E3TR
    SI4966DYT1E3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -
  • Bāzes daļas numurs
    SI4966

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4966DY-T1-E3” saistītie produkti.
SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4992EY-T1-GE3

SI4992EY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.