Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4942DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5752808

SI4942DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4942DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4942DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 7.4A, 10V
  • Jauda - maks
    1.1W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    40V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Bāzes daļas numurs
    SI4942

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4942DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4947ADY-T1-E3

SI4947ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.