Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4830CDY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3583011

SI4830CDY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.565
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4830CDY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4830CDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Jauda - maks
    2.9W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4830CDY-T1-GE3TR
    SI4830CDYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Bāzes daļas numurs
    SI4830

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4830CDY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4831BDY-T1-GE3

SI4831BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4830ADY-T1-E3

SI4830ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4826-DEMO

SI4826-DEMO

Apraksts: BOARD DEMO SI4822-A10 SI4826-A10

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4833BDY-T1-GE3

SI4833BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4827-A10-CSR

SI4827-A10-CSR

Apraksts: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4831-B30-GU

SI4831-B30-GU

Apraksts: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4831-B30-GUR

SI4831-B30-GUR

Apraksts: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4829DY-T1-GE3

SI4829DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4827-A10-CS

SI4827-A10-CS

Apraksts: IC RCVR AM/FM/SW MECH 16-SOIC

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4829DY-T1-E3

SI4829DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Apraksts: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4830-A20-GU

SI4830-A20-GU

Apraksts: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4827-DEMO

SI4827-DEMO

Apraksts: BOARD EVAL SI4827

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.