Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > SI4542DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6375083

SI4542DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4542DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4542DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Jauda - maks
    2W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    -
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tips
    N and P-Channel
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -
  • Bāzes daļas numurs
    SI4542

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4542DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4539ADY-T1-E3

SI4539ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4544DY-T1-GE3

SI4544DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4539ADY-T1-GE3

SI4539ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4562DY-T1-GE3

SI4562DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4559ADY-T1-E3

SI4559ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4542DY

SI4542DY

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4562DY-T1-E3

SI4562DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4563DY-T1-E3

SI4563DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4532DY

SI4532DY

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4561DY-T1-GE3

SI4561DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4554DY-T1-GE3

SI4554DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4561DY-T1-E3

SI4561DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.