Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4451DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5028457

SI4451DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$1.428
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4451DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4451DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 850µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.25 mOhm @ 14A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    21 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    120nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4451DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4456DY-T1-GE3

SI4456DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.