SI4425BDY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.978

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4425BDY-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4425BDY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11.4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.5W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI4425BDY-T1-GE3-ND
SI4425BDY-T1-GE3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

100nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

P-Channel 30V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta)

Šis ir ar “SI4425BDY-T1-GE3” saistītie produkti.

SI4423DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4425BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4423DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4430BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4421-A0-FTR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4430BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4427BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4430-B1-FMR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4427BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4421-A1-FTR

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4430-A0-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4426DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4426DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4420DYTRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

SI4430-B1-FM

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4421DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4421-A1-FT

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4421-A0-FT

Apraksts: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4425DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4421DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI4425BDY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI4423DY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

SI4423DY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

SI4421-A0-FTR

SI4430BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

SI4430-B1-FMR

SI4427BDY-T1-GE3

SI4421-A1-FTR

SI4430-A0-FM

SI4426DY-T1-E3

SI4426DY-T1-GE3

SI4420DYTRPBF

SI4430-B1-FM

SI4421DY-T1-E3

SI4421-A1-FT

SI4421-A0-FT

SI4425DDY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda