Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4408DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1466771

SI4408DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$1.835
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4408DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4408DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 21A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.6W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    32nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    14A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4408DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4404DY-T1-GE3

SI4404DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4410DY,518

SI4410DY,518

Apraksts: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
SI4404DY-T1-E3

SI4404DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.