Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4136DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
999147

SI4136DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.757
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4136DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4136DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 15A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4136DY-T1-GE3-ND
    SI4136DY-T1-GE3TR
    SI4136DYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4560pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 46A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    46A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4136DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4134T-GM

SI4134T-GM

Apraksts: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4136-BT

SI4136-BT

Apraksts: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4136-F-GT

SI4136-F-GT

Apraksts: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4136-F-GM

SI4136-F-GM

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4136-F-BT

SI4136-F-BT

Apraksts: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4136-F-BM

SI4136-F-BM

Apraksts: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4136-EVB

SI4136-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4136-BM

SI4136-BM

Apraksts: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4136-F-GTR

SI4136-F-GTR

Apraksts: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.