Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4124DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4515524

SI4124DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$1.04
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4124DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4124DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 14A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4124DY-T1-GE3TR
    SI4124DYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3540pF @ 20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    40V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 40V 20.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20.5A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4124DY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4123-EVB

SI4123-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4126-F-BMR

SI4126-F-BMR

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4123-BM

SI4123-BM

Apraksts: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4122M-EVB

SI4122M-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4126-F-GMR

SI4126-F-GMR

Apraksts: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4123-D-GM

SI4123-D-GM

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4123-D-GTR

SI4123-D-GTR

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4128DY-T1-E3

SI4128DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4123-D-GT

SI4123-D-GT

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4123M-EVB

SI4123M-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4126-F-BM

SI4126-F-BM

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4126-BM

SI4126-BM

Apraksts: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4126DY-T1-GE3

SI4126DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4126-F-GM

SI4126-F-GM

Apraksts: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4123-BT

SI4123-BT

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4126M-EVB

SI4126M-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4126

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4123-D-GMR

SI4123-D-GMR

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.