Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4114DY-T1-E3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5243641

SI4114DY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.854

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4114DY-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4114DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 10A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI4114DY-T1-E3-ND
SI4114DY-T1-E3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

3700pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

95nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI4114DY-T1-E3” saistītie produkti.

SI4113-D-GMR

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4113-EVB

SI4113-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4114G-B-GM

Apraksts: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4114G-BM

Apraksts: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4113-BT

SI4113-BT

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4115G-BM

SI4115G-BM

Apraksts: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4122-D-GM

Apraksts: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4112-EVB

SI4112-EVB

Apraksts: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4113-D-GT

SI4113-D-GT

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4122-D-GMR

Apraksts: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4113-D-GM

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Apraksts: BOARD EVAL SI4114G-BM

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4113-D-GTR

SI4113-D-GTR

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4122-BT

SI4122-BT

Apraksts: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.