Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI3473DDV-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4728397SI3473DDV-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3473DDV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.158
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI3473DDV-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI3473DDV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-TSOP
  • Sērija
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.6W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Citi vārdi
    SI3473DDV-T1-GE3TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1975pF @ 6V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    57nC @ 8V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    12V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 12V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI3473DDV-T1-GE3” saistītie produkti.
SI3465DV-T1-E3

SI3465DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3480MS8-KIT

SI3480MS8-KIT

Apraksts: KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3464DV-T1-GE3

SI3464DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3462-EVB

SI3462-EVB

Apraksts: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3467DV-T1-GE3

SI3467DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3465DV-T1-GE3

SI3465DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3473DV-T1-GE3

SI3473DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3469DV-T1-E3

SI3469DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3473DV-T1-E3

SI3473DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3467DV-T1-E3

SI3467DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3480-A01-GM

SI3480-A01-GM

Apraksts: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3477DV-T1-GE3

SI3477DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3480-A01-GMR

SI3480-A01-GMR

Apraksts: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3475DV-T1-GE3

SI3475DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.